هذه الدائرة تعطى خرج صوت هاى كواليتى
لاتحتاج الدائرة الى مكبر بري امبلفاير
مكونات الدائرة :
1 - قيمة المقاومات فى الدائرة
R1 ,R2 = مقاومة 47 كيلو اوم ربع وات
R2 =مقاومة 4.7 كيلو اوم ربع وات
R3 = مقاومة 1.5 كيلو اوم / ربع وات
R5 = مقاومة 390 اوم / ربع وات
R6 = مقاومة 470 اوم / ربع وات
R7 = مقاومة 33 كيلو اوم / ربع وات
R8 = مقاومة 150 كيلو اوم / ربع وات
R9 = مقاومة 15 كيلو اوم / ربع وات
R10 = مقاومة 27 اوم / ربع وات
R11 = مقاومة 500 اوم / نص وات
R12 ,R13 , R16 = مقاومة 10 اوم / ربع وات
R14,R15 = مقاومة 220 اوم / ربع وات
R17 = مقاومة 8.2 اوم / 2 وات
R18 = مقاومة 22 اوم / 4 وات
2 - قيمة المكثفات فى الدائرة
C1 = مكثف Polyester Capacitor قيمته 470 نانو فاراد / 50 فولت
C2 = مكثف Polystyrene Capacitor قيمته 330 بيكوفاراد / 50 فولت
C3 ,C5 = مكثف Electrolytic Capacitors وقيمته 470 ميكروفاراد / 50 فولت
C4 ,C6 ,C8 ,C11 = مكثف Polyester Capacitors قيمته 100 نانوفاراد / 50 فولت
C7 = مكثف كميائى Electrolytic Capacitor قيمته 100 مايكرو فاراد / 25 فولت
C9 = مكثف Polystyrene Capacitor قيمته 10 بيكو فاراد / 50 فولت
C10 = مكثف Polyester Capacitor قيمته 1 مايكرو فاراد / 50 فولت
3 - الترانزستورات المستخدمة فى الدائرة
Q1 ,Q5 = ترانزستور رقم BC560C نوعه PNP
Q6 = ترانزستور رقم BD140 نوعه PNP
Q7 = ترانزستور رقم BD139 نوعه NPN
Q8 = ترانزستر رقم IRF532 نوعه N-Channel Hexfet Transistor
Q9 = ترانزستور رقم IRF9532 نوعه P-Channel Hexfet Transistor
4 - دائرة البور لتغذية الدائرة
R1 = مقاومة 3.3 كيلو اوم / نص وات
C1 = مكثف 10 نانو فاراد 1000 فولت نوعه المكثف ( Polyester Capacitor )
C2 ,C3 = مكثف 4700 مايكرو فاراد / 50 فولت نوع المكثف (Electrolytic Capacitors )
C4 ,C5 = مكثف 100 نانو فاراد / 50 فولت نوع المكثف ( Polyester Capacitors )
D1 = دائرة بريدج لتوحيد التيار ( 200V 8A Diode bridge )
D2 = لد مضئ احمر اللون
F1 ,F2 = فيوز 3.15 امبير
PL1 = جاك ذكر
SW1 = مفتاح فتح وغلق التيار الكهربائى
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق