الترانزستورات يمكن أن تتعطل بطرق محتلفة فقد تصبح أحد وصلتى الترانزيستور مفتوحة الدائرة او مقصرة الدائرة (شورت ). وفى بعض الحالات قد يصبح الترانزيستور بكامله مقصر الدائرة (شورت) أو ذات مقاومة داخلية متدنية . وعادة يكون السبب تسخين زائد أو فولتية زائدة حتى لو حدث ذلك بصفة مؤقتة . ويمكن ايضا زيادة ( التسرب - leakage ) بالترانزستور تتسبب فى خفض كسبه وزيادة شوشرته .
يتكون الترانزيستور عمليا من وصلتى (pn ) (ثنائيين ) , واعتمادا على الثنائى واختلاف المقاومة فيه عند حالتى الانحياز الامامى والانحياز العكسى فانه يمكن تحديد صلاحية الترانزيستور باستخدام الاومميتر . وتبين الصورة التالية طبيعة المقاومات بين أطراف الترانزيستور غير التالف , اذ يعد اختلاف اى من هذه المقاومات دليا على تلف ذلك الترانزيستور .
الاختبارات السابقة لاتنطبق على انواع الترانزيستور التى تحتوى على ثنائى بين المجمع والباعث وعلى الانواع التى تحتوى على مقاومة بين القاعدة والباعث ولا على ترانزيستورات دارلينجتون .
كما يمكن اختبار الترانزيستور بقياس معامل كسب التيار للترانزيستور باستخدام الجهاز المتعدد القياسات الرقمى ( digital multimeter )
يتكون الترانزيستور عمليا من وصلتى (pn ) (ثنائيين ) , واعتمادا على الثنائى واختلاف المقاومة فيه عند حالتى الانحياز الامامى والانحياز العكسى فانه يمكن تحديد صلاحية الترانزيستور باستخدام الاومميتر . وتبين الصورة التالية طبيعة المقاومات بين أطراف الترانزيستور غير التالف , اذ يعد اختلاف اى من هذه المقاومات دليا على تلف ذلك الترانزيستور .
كما يمكن اختبار الترانزيستور بقياس معامل كسب التيار للترانزيستور باستخدام الجهاز المتعدد القياسات الرقمى ( digital multimeter )
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق